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东芝用于电压谐振电路的新型分立IGBT有助于降低功耗

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)已推出一款1350V分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT) “GT20N135SRA”,适用于台式电磁感应加热(IH)炊具、IH电饭煲、微波炉及其他家用电器的电压谐振电路。即日起出货。

 

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

 

GT20N135SRA的集电极-发射极饱和电压[1]1.75V,二极管正向电压[2]1.8V,分别比当前产品[3]低约10%21%IGBT和二极管在高温(TC=100℃)下均具有改良型传导损耗特性,新型IGBT可帮助降低设备功耗。它还具有0.48℃/W(最大值)的结到外壳热阻,比当前产品[3]低约26%,从而简化热设计。

 

新型IGBT可抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。其电路电流[4]峰值为129A,比当前产品[3]降低约31%。随着安全操作范围的扩大,与当前产品[3]相比,它让设备设计变得更加轻松。

 

应用场合

 

使用电压谐振电路的家用电器(例如台面式IH炊具、IH电饭煲和微波炉)

 

特性

 

  • 低传导损耗:
         V CE
    (饱和)=      1.6V(典型值)(IC = 20AVGE = 15VTa = 25℃时)
         VF = 1.75V
    (典型值)(IF      = 20AVGE = 0VTa = 25℃时)

  • 低结到外壳热阻:Rth(结到外壳)= 0.48℃/W(最大值)

  • 抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。

  • 广泛的安全操作范围

 

主要规格

 

(除非另有说明,Ta=25 °C时)

产品名称

封装

绝对最大额定值

集电极-发射极饱和电压

VCE(饱和)

典型值

IC20A

VGE=15V

(V)  

二极管正向电压

VF  

典型值

IF=20A

VGE=0V

(V)  

切换时间

(衰减时间)

tf  

典型值

电阻负载时

(μs)  

结到外壳热阻

Rth(结到外壳)

最大值

(℃/W)  

集电极-发射极电压

VCES  

(V)  

集电极电流

(直流)

IC  

@TC=25℃  

(A)  

集电极电流

(直流)

IC  

@TC=100℃  

(A)  

结温度

Tj  

(℃)  

GT20N135SRA  

TO-247  

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

 

注释:
[1]
截至20196月,东芝测得值。(测试条件:IC = 20AVGE = 15VTC = 100℃
[2]
截至20196月,东芝测得值。(测试条件:IF = 20AVGE = 0VTC = 100℃
[3]
东芝的当前产品“GT40RR21”
[4]
截至20196月,东芝测得值。(测试条件:VCC = 300VVGG = 15VC =0.33μFt =5μsTa = 25℃

 

有关新产品的更多信息,请关注以下链接。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

 

有关东芝IGBT产品系列的更多信息,请关注以下链接。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

 

*公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

 

客户垂询:
功率器件销售与营销部
电话:+81-3-3457-3933
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本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

 

关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自20177月成为一家独立公司以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSIHDD解决方案。

 

公司遍布全球的1.9万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期待在目前超过7000亿日元(60亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。


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